Forschende von INNOVENT in Jena haben ein Verfahren entwickelt, mit dem sich Oxid- und Sulfidschichten auf Kupfer- und Silberoberflächen gezielt entfernen lassen. Dabei kommt ein Atmosphärendruck-Plasma zum Einsatz, das ohne aufwendige Vakuumtechnik oder aggressive Chemikalien auskommt.
Kupfer und Silber werden in vielen elektronischen Bauteilen verwendet. Mit der Zeit bilden sich auf den Metallen jedoch Oxid- oder Sulfidschichten, die die elektrische Leitfähigkeit und die Lötbarkeit verschlechtern. Bislang ist deren Entfernung häufig mit hohem technischem Aufwand verbunden.
Die Jenaer Forschenden konnten nun nachweisen, dass sich solche Schichten mithilfe eines speziellen Plasmajets deutlich reduzieren lassen. Bei Kupfer verringerte sich die Dicke der Oxidschicht von rund 95 auf etwa 6 Nanometer. Auch bei Silber wurde die Sulfidschicht von bis zu 70 auf etwa 7 Nanometer reduziert. Dadurch wurden die metallischen Oberflächen weitgehend wiederhergestellt.
Das Verfahren könnte künftig vor allem in der Elektronikfertigung eingesetzt werden – etwa bei Leiterplatten, Leistungselektronik oder Halbleiterbauteilen. Da keine chemischen Ätzmittel und keine Vakuumanlagen benötigt werden, sehen die Forschenden Potenzial für ressourcenschonende und kostengünstige Produktionsprozesse.
Perspektivisch soll untersucht werden, ob sich die Technologie auch auf weitere Metalle wie Zinn übertragen lässt.
Quelle: https://idw-online.de/de/news872827
Foto: INNOVENT e.V.
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